3名知情人士表示，由于發熱和功耗問題，三星電子最新的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過英偉達的測試。

　　

　　外媒報導，消息人士表示，這些問題影響到三星HBM3芯片，以及這家韓國科技巨頭及其競爭對手今年推向市場的第5代HBM3E芯片。HBM3芯片是目前人工智能(AI)圖形處理器(GPU)最常用的第4代HBM標準。

　　根據三星提供給外媒的聲明，HBM是一款定制化內存產品，需“根據客戶需求進行優化”，并補充說，三星正通過與客戶的密切合作來優化產品。三星拒絕對特定客戶置評。

　　HBM是一種動態隨機存取內存標準，于2013年首次推出，通過垂直堆疊節省空間并降低功耗，有助于處理復雜AI應用產生的大量資料。隨著生成式AI熱潮中對復雜GPU的需求激增，HBM的需求也跟著增加。

　　英偉達在全球AI應用GPU的市占率大約是80%，滿足英偉達的需求，無論是聲譽或利潤，都被視為HBM制造商未來成長的關鍵。

　　英偉達拒絕置評。

　　3名消息人士表示，自去年以來，三星一直在努力通過英偉達對HBM3和HBM3E的測試。根據兩位知情人士，最近對三星8層和12層HBM3E芯片的失敗測試結果已于4月公布。

　　目前尚不清楚這些問題是否易于解決，但3名消息人士表示，未能滿足英偉達的要求加劇業界和投資人的擔憂。他們擔心三星在HBM方面，可能會進一步落后競爭對手SK海力士和美光科技公司。